Ce(111)计算思路

Ce(111)的计算思路主要是通过第一性原理计算方法，如密度泛函理论（DFT）或Hartree-Fock方法，对Ce元素在Si(111)表面的吸附和反应进行模拟。首先，需要构建一个包含Ce原子和Si(111)基底的模型体系，然后通过优化几何结构、能量和电子结构等参数，得到一个稳定且能量最低的吸附构型。在这个过程中，需要考虑Ce原子与Si(111)之间的相互作用，如范德华力、静电作用和共价键等。最后，可以通过分析吸附能、电荷转移、态密度等物理量，来揭示Ce在Si(111)表面的吸附机制和反应动力学特性。