光刻工艺

光刻工艺是一种半导体制造过程中的关键步骤，它利用光刻机将集成电路图案转移到硅片上。光刻工艺包括曝光、显影和蚀刻等步骤。在曝光阶段，光刻机通过使用紫外线或极紫外光源，将掩膜上的电路图案投影到涂有光敏材料的硅片上。然后，在显影阶段，光刻胶被溶解掉，留下未曝光的部分作为掩膜。最后，在蚀刻阶段，硅片被暴露于化学物质中，以去除未被掩膜保护的部分。光刻工艺的精度和分辨率直接影响到集成电路的性能和成本。随着技术的进步，光刻工艺也在不断发展，以满足日益增长的芯片集成度需求。