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薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模

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薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模

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大纲/内容

4 低温多晶硅（LTPS）TFT的结构、工艺与器件物理

4.1 缓冲层以及a-Si层

4.1.1 薄膜的沉积

4.2 LTPS层

4.3 LTPS薄膜的电学特性

4.4 传统的固相结晶技术（SPC）

4.5 金属诱导结晶（MIC）

4.6 TFT沟道与N-TFT源/漏的形成

4.7 栅绝缘（GI）层

4.8 p型TFT源/漏与n型TFT LDD的形成

4.9 层间介质层（Interlayer Dielectric Film, ILD）

4.10 信号线（Data line）

4.11 LTPS TFT器件的电学性质

4.11.1 栅极正向偏置

5 LTPS TFT的SPICE模型

5.1 DC模型

5.1.1 TFT有效开启电压的表达式

5.2 AC模型

6 IGZO TFT的结构、工艺与器件物理

6.1 IGZO工艺概述

6.2 平板显示用IGZO TFT的结构

6.3 IGZO TFT的电学特性

6.3.1 栅极正向偏置

1 薄膜晶体管（TFT）用于平板显示

1.1 TFT用于液晶平板显示

1.1.1 LCD显示技术原理

1.1.2 矩阵显示

1.1.3 AMLCD显示技术对TFT特性的要求

1.2 TFT用于OLED平板显示

1.2.1 有机发光二极管（OLED）

1.3 TFT的SPICE建模与仿真

1.3.1 SPICE仿真与建模

2 a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理

2.1 平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺

2.2 a-Si:H TFT器件的电学特性

2.2.1 栅极（Gate）正向偏置

3 a-Si:H TFT的SPICE模型

3.1 DC模型

3.1.1 a-Si:H TFT开启前

3.2 AC模型

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