4 低温多晶硅（LTPS）TFT的结构、工艺与器件物理
4.1 缓冲层以及a-Si层
4.1.1 薄膜的沉积
4.2 LTPS层
4.3 LTPS薄膜的电学特性
4.4 传统的固相结晶技术（SPC）
4.5 金属诱导结晶（MIC）
4.6 TFT沟道与N-TFT源/漏的形成
4.7 栅绝缘（GI）层
4.8 p型TFT源/漏与n型TFT LDD的形成
4.9 层间介质层（Interlayer Dielectric Film, ILD）
4.10 信号线（Data line）
4.11 LTPS TFT器件的电学性质
4.11.1 栅极正向偏置
2 a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理
2.1 平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺
2.2 a-Si:H TFT器件的电学特性
2.2.1 栅极（Gate）正向偏置
