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第1章常用半导体器件思维导图

2018-10-07 20:57:03   59  举报

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第1章常用半导体器件思维导图

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大纲/内容

半导体

本征半导体

杂质半导体

N型半导体

P型半导体

PN结

PN结的形成

单向导电性

PN结的电容效应

半导体二极管

半导体二极管的结构

时间：不超过3天

关键：抓大放小、不用面面俱到

实践：

画思维导图

手绘

电脑等工具上阵

态度：不纠结，清楚知道不可能一遍读透

半导体二极管的伏安特性和电流方程

伏安特性

温度对伏安特性的影响

电流方程

二极管的等效电路

直流等效

交流等效

当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路

二极管的主要参数

晶体三极管

晶体三极管的结构和符号

符号

晶体三极管的放大原理

载流子的运动：扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC，IE＝IC＋IB。

电流分配

晶体三极管的输入特性和输出特性

共射输入特性

输出特性

晶体三极管的三个工作区域及温度对其特性的影响

三个工作区域

温度影响

晶体三极管的主要参数

场效应管

结型场效应管

 单极型管：噪声小、抗辐射能力强、低电压工作，g-s等效电阻很大（107～ 1012Ω ）。

场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；

有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。

N沟道结型场效应管：栅-源电压uGS=0时，漏-源之间加电压就将形成漏极电流；  漏极和源极可互换。

栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用

漏-源电压对漏极电流的影响

转移特性：场效应管工作在恒流区，因而 u GS＞ U GS（off）且 u GD＜ U GS（off）。

输出特性：不同型号的管子UGS （off）和IDSS将不同；同型号的也有分散性。

绝缘栅型场效应管

增强型MOS管工作原理

uGS大于0，出现反型层； uGS增大，反型层变宽； uGS增大到一定数值形成导电沟道。使导电沟道形成的uGS称为开启电压UGS（th）

耗尽型MOS管工作原理

耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于Si O2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点

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第1章 常用半导体器件 思维导图

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