结型场效应管
单极型管：噪声小、抗辐射能力强、低电压工作，g-s等 效电阻很大（107～ 1012Ω ）。
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）， 对应于晶体管的e、b、c；
有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于 晶体管的截止区、放大区、饱和区。
N沟道结型场效应管 ：栅-源电压uGS=0时，漏-源之间加电压就将形成漏极电流； 漏极和源极可互换。
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
漏-源电压对漏极电流的影响
转移特性：场效应管工作在恒流区，因而 u GS＞ U GS（off）且 u GD＜ U GS（off）。
输出特性 ：不同型号的管子UGS （off）和IDSS将不同；同型 号的也有分散性。
绝缘栅型 场效应管
增强型MOS管 工作原理
uGS大于0，出现反型层； uGS增大，反型层变 宽； uGS增大到一定数值形成导电沟道。使导电沟 道形成的uGS称为开启电压UGS（th）
耗尽型MOS管 工作原理
耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通， 且与结型场效应管不同，由于Si O2绝缘层的存在，在uGS＞0时 仍保持g-s间电阻非常大的特点
