mos VS bjt
2019-01-02 15:10:08 5 举报AI智能生成
MOS VS BJT
作者其他创作
大纲/内容
建模
MOS
共源放大器
源极不接电阻
源极接电阻
共漏放大器
共栅放大器
BJT
共射放大器
射极不接电阻
射极接电阻
共基放大器
共集电极放大器
小信号
场效应管的低频小信号模型
放大模式下晶体三极管的小信号等效模型
传输特性曲线和大、小信号模型<br>（以NMOS饱和区和BJT放大区为例）<br>
BJT大信号模型
MOS大信号模型
BJT小信号模型
MOS小信号模型
BJT传输特性曲线
MOS传输特性曲线
构成
晶体管
单极型
双极型
分类
NEMOSFET,NDMOSFET,PEMOSFET,PDMOSFET
NPN,PNP
结构
源区，漏区；源极，漏极，栅极（栅极绝缘）
发射区，基区，集电区；发射极，基极，集电极；（基极有电流）
控制
电压
电压、电流
工作原理
通过输入电压产生沟道。。。
载流子的移动产生电流
极区
漏区与源区可交换
发射区和集电区不可交换
工作模式
正常工作时，两个PN节反偏
放大模式发射结正偏，集电结反偏；饱和模式PN结均正偏；截止模式PN结均反偏
调制效应
沟道调制效应
基区调制效应
应用
反相放大器、适合做中间级放大器
共源放大器
共射放大器
电流跟随器、应用于高频
共栅放大器
共基放大器
电压跟随器
共漏放大器
共集放大器
数字逻辑电路、小信号放大器、开关电路
特性
MOS
截止区
VGS<Vt
变阻区
VDS<VGS-Vt
饱和区
VDS>VGS-Vt/VD>VG-Vt
BJT
饱和区
PN结均正偏
放大区
发射结正偏，集电结反偏
截止区
PN结均反偏
击穿区
VCE持续增大，达到一定的值
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