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mos VS bjt

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2019-01-02 15:10:08   5  举报

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AI智能生成

MOS VS BJT

模拟电子技术

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大纲/内容

建模

MOS

共源放大器

源极不接电阻

源极接电阻

共漏放大器

共栅放大器

BJT

共射放大器

射极不接电阻

射极接电阻

共基放大器

共集电极放大器

小信号

场效应管的低频小信号模型

放大模式下晶体三极管的小信号等效模型

传输特性曲线和大、小信号模型<br>（以NMOS饱和区和BJT放大区为例）<br>

BJT大信号模型

MOS大信号模型

BJT小信号模型

MOS小信号模型

BJT传输特性曲线

MOS传输特性曲线

构成

晶体管

单极型

双极型

分类

NEMOSFET,NDMOSFET,PEMOSFET,PDMOSFET

NPN,PNP

结构

源区，漏区；源极，漏极，栅极（栅极绝缘）

发射区，基区，集电区；发射极，基极，集电极；（基极有电流）

控制

电压

电压、电流

工作原理

通过输入电压产生沟道。。。

载流子的移动产生电流

极区

漏区与源区可交换

发射区和集电区不可交换

工作模式

正常工作时，两个PN节反偏

放大模式发射结正偏，集电结反偏；饱和模式PN结均正偏；截止模式PN结均反偏

调制效应

沟道调制效应

基区调制效应

应用

反相放大器、适合做中间级放大器

共源放大器

共射放大器

电流跟随器、应用于高频

共栅放大器

共基放大器

电压跟随器

共漏放大器

共集放大器

数字逻辑电路、小信号放大器、开关电路

特性

MOS

截止区

VGS<Vt

变阻区

VDS<VGS-Vt

饱和区

VDS>VGS-Vt/VD>VG-Vt

BJT

饱和区

PN结均正偏

放大区

发射结正偏，集电结反偏

截止区

PN结均反偏

击穿区

VCE持续增大，达到一定的值

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