工艺特点
杂质浓度分布与总量可控性好
注入杂质纯度高，能量单一，洁净度好
室温注入，避免了高温过程对靶片的影响
杂质分布的横向效应小，有利于器件尺寸的缩小
离子注入会造成晶格缺陷，甚至非晶化，即使退火也难以完全消除
是单片工艺，生存效率低，成本高
优点
掺杂浓度不受杂质源纯度的影响，工艺过程无污染
注入晶片中的掺杂原子数精确可控
结深，杂质分布可控
非平衡过程，不受固溶度限制
低温工艺，掩蔽膜选择余地大
垂直入射，无横向扩散，有利于器件特征尺寸的缩小
缺点
会在晶体中引入晶格损伤
产率低
设备复杂，投资大
