Nand Flash的数据存储原理
2016-12-01 09:23:29 0 举报
Nand Flash是一种非易失性存储技术,其数据存储原理基于浮栅晶体管。每个存储单元由一个或多个晶体管组成,这些晶体管的阈值电压表示数据的二进制状态。写入数据时,通过向晶体管施加适当的电压,改变其阈值电压;读取数据时,根据晶体管的阈值电压判断其存储的数据状态。由于Nand Flash的物理特性,其数据存储具有页和块的结构,数据以块为单位进行擦除和写入。此外,Nand Flash还支持多级缓存和坏块管理,以提高数据访问效率和可靠性。
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大纲/内容
512B
数据长度=data+8
ECC是校验字节,前6字节ECC是对应的数据存储区的校验字节,有1位的校验能力,如果2位出错,直接报错。我们不设置ECC,当你向数据存储区写入数据,自动生成ECC。当你擦除数据,ECC置1。后2字节的ECC是4字节ID和前6字节ECC的校验,最开始的4字节是没有ECC的校验的。
DTAT长度(2B)
128K
128K是最小擦除字节,称作1块
16B
1个page分为2048B数据区,64B的校验区。
type(2B)
FE FE
2112B(1)
。。。。
data
2112B(64)
时间(4B)
nand flash存储结构
1块分为64page,1个page叫做最小读取单元
报文格式
这4字节存储数据区的ID号,写入数据的同时就要写入ID号。ID我们用系统的时间,以秒为单位,ID号不能相同,且为自增,最小加1。
8B(ECC)
4B(ID)
数据存储区
4B
1个数据区是最小写入单元
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